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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1585STP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | 2SA1585STP |
2SB1424 / 2SA1585S
Transistors
Rev.A
2/3
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
Cob
Min.
20
6
120
240
35
0.1
390
0.5
VIC
= 50
A
IC
= 1mA
IE
= 50
A
VCB
= 20V
VEB
= 5V
VCE
= 2V, IC= 0.1A
IC/IB
= 2A/ 0.1A
VCE
= 2V, IE=0.5A, f=100MHz
VCB
= 10V, IE=0A, f=1MHz
V
A
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Packaging specifications and hFE
TP
T100
5000
1000
QR
hFE
QR
2SA1585S
2SB1424
Type
Package
Code
Basic ordering
unit (pieces)
Taping
hFE values are classified as follows :
Item
Q
R
hFE
120 to 270
180 to 390
Electrical characteristic curves
1m
2m
5m
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE
(V)
Fig.1
Grounded emitter propagation
characteristics
VCE
= 2V
Ta
=100°C
40°C
25
°C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
2mA
6mA
4mA
Ta
=25°C
IB
=0A
8mA
10mA
20mA
12mA
14mA
16mA
18mA
Fig.2
Grounded emitter output
characteristics ( )
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Ta
=25°C
20mA
25mA
30mA
35mA
40mA
5mA
15mA
10mA
IB
=0A
45mA
50mA
Fig.3
Grounded emitter output
characteristics ( )
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1424T100 | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1606-D | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1606 | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4159 | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4159-E | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1585STPQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1585STPR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1586 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA1586-GR(T5L,F,T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -150mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1586-GR(T5LHITF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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