參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1586-O
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： 2-2E1A, SC-70, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 230K
代理商： 2SA1586-O
2SA1586
2003-03-27
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA1586
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
High voltage and high current: VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max)
Excellent hFE linearity: hFE (IC = 0.1 mA)/ hFE (IC = 2 mA)
= 0.95 (typ.)
High hFE: hFE = 70~400
Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max)
Complementary to 2SC4116
Small package
Maximum Ratings (Ta
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
150
mA
Base current
IB
30
mA
Collector power dissipation
PC
100
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
55~125
°C
Electrical Characteristics (Ta
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 50 V, IE = 0
0.1
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
0.1
A
DC current gain
hFE
(Note)
VCE = 6 V, IC = 2 mA
70
400
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 100 mA, IB = 10 mA
0.1
0.3
V
Transition frequency
fT
VCE = 10 V, IC = 1 mA
80
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
4
7
pF
Noise figure
NF
VCE = 6 V, IC = 0.1 mA, f = 1 kHz,
Rg
= 10 k
1.0
10
dB
Note: hFE classification O (O): 70~140, Y (Y): 120~240, GR (G): 200~400
( ) marking symbol
Marking
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-70
TOSHIBA
2-2E1A
Weight: 0.006 g (typ.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK522FRF VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
2SK930-T13-1C N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2N5485L18 Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA
2SC2337AR 1 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N4953-5T1 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SA1586SU-GR,LF(D 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:USM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
2SA1586SU-Y,LF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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