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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SA1627AG-T60-K |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 600 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 175K |
| 代理商： | 2SA1627AG-T60-K |
2SA1627A
Preliminary PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
3 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R217-004.B
TYPICAL CHARACTERISTICS
Co
lle
ct
or
C
urre
nt,
I
C
(mA)
I B
=2
.0
m
A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current vs.
Base to Emitter Voltage
Base to Emitter Voltage, VBE (V)
-0.01
-0.1
-0.3
-1.0
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-0.03
-0.003
-0.2
-0.6
-1.0
-1.4
VCE=-5.0V
Collector and Base Saturation Voltage
vs. Collector Current
Collector Current, IC (A)
-0.1
-0.3
-1.0
-3.0
-0.005 -0.01
-0.05
-0.2
-0.03
-0.02
-0.1
-0.5
IC=5IB
VBE(sat)
VCE(sat)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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