參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1674
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type
中文描述： 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-2-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： 2SA1674
1
Transistor
2SA1674
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency output amplification
Complementary to 2SC4391
I
Features
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
High collector to emitter voltage V
CEO
.
G
Allowing supply with the radial taping.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation (T
C
=25C)
Junction temperature
Storage temperature
1:Emitter
2:Collector
3:Base
MT2 Type Package
2.5
±
0.1
4
±
0
1
±
0
2.5
±
0.5
2.5
±
0.5
2
±
0
6.9
±
0.1
1.05
±
0.05
(1.45)
4.0
0.7
0.8
0
0
0
1
1
0.65 max.
0.45
+0.1
–0.05
0
+
–
3
2
1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
stg
Ratings
–80
–80
–5
–1.5
–1
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= –40V, I
E
= 0
I
C
= –10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= –1mA, I
B
= 0
I
E
= –10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= –2V, I
C
= –100mA
V
CE
= –2V, I
C
= –500mA
*2
I
C
= –500mA, I
B
= –50mA
*2
I
C
= –500mA, I
B
= –50mA
*2
V
CB
= –10V, I
E
= 50mA, f = 200MHz
V
CB
= –10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
–80
–80
–5
120
60
typ
– 0.2
– 0.85
120
15
max
– 0.1
340
– 0.3
–1.2
30
Unit
μ
A
V
V
V
V
V
MHz
pF
*1
h
FE1
Rank classification
Rank
R
S
h
FE1
120 ~ 240
170 ~ 340
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm
2
or more, and the board
thickness of 1.7mm for the collector portion
*2
Pulse measurement
1.2
±
0.1
0.65
0.45
0.1
+
–
Note:In addition to the
lead type shown in
the upper figure, the
type as shown in
the lower figure is
also available.
(HW type)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1679 Switching Power Transistor(-5A PNP)
2SA1680 TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS)
2SA1681 TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS)
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參數(shù)描述
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2SA1679-7000 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1679-7012 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1679-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1679-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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