參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1674R
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-2-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 235K
代理商： 2SA1674R
Transistors
1
Publication date: March 2003
SJC00025BED
2SA1674
Silicon PNP epitaxial planar type
For low-frequency output amplification
Complementary to 2SC4391
■ Features
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
High collector-emitter voltage (Base open) V
CEO
Allowing supply with the radial taping
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
80
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
80
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
5V
Collector current
IC
1A
Peak collector current
ICP
1.5
A
Collector power dissipation *
PC
1W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
IC = 10 A, IE = 0
80
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC = 1 mA, IB = 0
80
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
IE
= 10 A, I
C
= 0
5V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB = 40 V, IE = 0
0.1
A
Forward current transfer ratio
hFE1 *
2
VCE = 2 V, IC = 100 mA
120
340
hFE2 *
1
VCE =
2 V, I
C =
500 mA
60
Collector-emitter saturation voltage *
1
VCE(sat)
IC = 500 mA, IB = 50 mA
0.2
0.3
V
Base-emitter saturation voltage *
1
VBE(sat)
IC = 500 mA, IB = 50 mA
0.85 1.20
V
Transition frequency
fT
VCB
= 10 V, I
E
= 50 mA, f = 200 MHz
120
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
15
30
pF
(Common base, input open circuited)
■ Electrical Characteristics T
a = 25°C ± 3°C
Unit: mm
6.9±0.1
2.5±0.1
0.45
1.05±0.05
2.5±0.5
123
2.5±0.5
+0.10
–0.05
0.45
+0.10
–0.05
(0.8)
(0.5)
(1.0)
4.5
±
0.1
14.5
±
0.5
4.0
0.7
0.65 max.
(0.2)
1: Emitter
2: Collector
3: Base
MT-2-A1 Package
Rank
R
S
hFE1
120 to 240
170 to 340
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *1: Pulse measurement
*2: Rank classification
Note) *: Printed circuit board: Copper foil area of 1 cm2 or more, and the
board thickness of 1.7 mm for the collector portion
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1689-F 50 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1689-E 50 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1689-E 50 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1697F 0.2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SC4474D 0.2 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1679-7000 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1679-7012 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1679-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1679-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1680(F,M) 功能描述:TRANS PNP 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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