參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1680
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92MOD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 125K
代理商： 2SA1680
2SA1680
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA1680
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)
(IC = 1 A)
High collector power dissipation: PC = 900 mW (Ta = 25 °C)
High-speed switching: tstg = 300 ns (typ.)
Complementary to 2SC4408.
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
60
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
6
V
Collector current
IC
2
A
Base current
IB
0.2
A
Collector power dissipation
PC
900
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 60 V, IE = 0
―
1.0
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 6 V, IC = 0
―
1.0
A
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
50
―
V
hFE (1)
VCE = 2 V, IC = 100 mA
120
―
400
DC current gain
hFE (2)
VCE = 2 V, IB = 1.5 A
40
―
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 1 A, IB = 0.05 A
―
0.5
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 1 A, IB = 0.05 A
―
1.2
V
Transition frequency
fT
VCE = 2 V, IC = 100 mA
―
100
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
23
―
pF
Turn-on time
ton
―
0.1
―
Storage time
tstg
―
0.3
―
Switching time
Fall time
tf
IB1 = IB2 = 0.05 A, duty cycle ≤ 1%
―
0.1
―
s
Unit: mm
JEDEC
TO-92MOD
JEITA
―
TOSHIBA
2-5J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
I B1
20 s
VCC = 30 V
Output
30
IB1
IB2
Input
I B2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1682-TB 50 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SA1698 0.07 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SA1699D 200 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1699D 200 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1702R 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1680(F,M) 功能描述:TRANS PNP 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1680(T6DNSO,F,M 功能描述:TRANS PNP 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1680(TE6,F,M) 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 50V 2A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1680,F(J 功能描述:TRANS PNP 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1680,T6ASTIF(J 功能描述:TRANS PNP 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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