參數(shù)資料
型號： 2SA1681
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-5K1A, PW-MINI, SC-62, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 152K
代理商： 2SA1681
2SA1681
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA1681
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A)
High speed switching time: tstg = 300 ns (typ.)
Small flat package
PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate)
Complementary to 2SC4409
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
60
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
6
V
Collector current
IC
2
A
Base current
IB
0.2
A
PC
500
Collector power dissipation
PC
(Note)
1000
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note: Mounted on a ceramic substrate (250 mm
2 × 0.8 t)
Unit: mm
PW-MINI
JEDEC
―
JEITA
SC-62
TOSHIBA
2-5K1A
Weight: 0.05 g (typ.)
相關PDF資料
PDF描述
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2SC3075 800 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SC5066F UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1681(TE12L,F) 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 50V 2A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1682-4-TB-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 300V 0.05A SOT23
2SA1685-4-TL-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS PNP 20V 0.15A SOT323
2SA1687-6-TL-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:Cut Tape 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SOT323
2SA1689 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-300V -.05A .6W ECB
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