參數(shù)資料
型號： 2SA1702S
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： NMP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 35K
代理商： 2SA1702S
No.3091-2/4
2SA1702
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T
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c
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p
s
e
S0
1s
n
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=--10V
VBE=5V
10IB1= --10IB2= IC=--2A
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
--10mA
--20mA
--30mA
--40mA
--50mA
--60mA
--90mA
--100mA
--80mA
--70mA
ITR04229
--5
--4
--3
--1
--2
0
--10mA
--5mA
--20mA
--15mA
--30mA
--35mA
--25mA
--40mA
--5
--4
--3
--1
--2
0
--0.4
--0.8
--1.0
--0.2
--0.6
IC -- VCE
IB=0
ITR04228
0--2
--4
--5
--1
--3
IC -- VCE
IB=0
VCE=--2V
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
--6
--5
--1
--4
--3
--2
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
IC -- VBE
ITR04230
Ta=75
°C
--25
°C
hFE -- IC
VCE=--2V
ITR04231
100
7
1000
7
5
3
2
5
3
2
--1.0
--10
3
25
--0.1
3
25
--0.01
3
25
5
25
°C
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
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PDF描述
2SA1702 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SA1705S-AN 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1705T-AN 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1706S-AN 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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