參數(shù)資料
型號(hào): 2SA1707R
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: NMP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 4/5頁(yè)
文件大小: 61K
代理商: 2SA1707R
No.3093-4/5
2SA1707/2SC4487
A S O
10
1.0
2
3
5
0.1
3
0.01
2
5
3
2
5
23
5
7
2
5
37
2
5
37
1.0
10
ITR04320
2SA1707 / 2SC4487
ITR04319
ITR04321
VBE(sat) -- IC
--10
7
5
3
2
7
5
3
--1.0
--0.01
7
52
3
7
52
3
7
52
5
3
--0.1
--1.0
ITR04318
2SA1707
IC / IB=20
2SC4487
IC / IB=20
PC -- Ta
1.2
1.0
0
0.8
0.6
0.4
0.2
100
140
120
160
20
060
40
80
2SA1707 / 2SC4487
Ta= --25
°C
75
°C
25°C
IC=3.0A
ICP=6.0A
1ms
100ms
10ms
DC
operation
Ta= --25°C
75
°C
25
°C
VCE(sat) -- IC
ITR04317
Ta= --25°
C
75°C
25°
C
2SC4487
IC / IB=20
--0.01
57
5
23
5
7 --0.1
23
57 --1.0
3
2
7
5
3
2
7
5
--1000
--100
--10
VCE(sat) -- IC
ITR04316
Ta= -
-25°
C
75°C
25°
C
2SA1707
IC / IB=20
0.01
57
3
2
23
5
7
23
5
7
0.1
1.0
3
2
7
5
3
2
7
5
1000
100
10
7
5
3
2
7
5
3
1.0
0.01
7
52
3
7
52
2
37
55
3
0.1
1.0
Collector
Dissipation,
P
C
W
Ambient Temperature, Ta – C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
A
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–V
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–V
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
mV
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
mV
Ta=25
°C
Single pulse
(For PNP, minus sign is omitted.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1709-S 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1709-R 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4489R 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1709-T 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1709-S 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1707S-AN 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1707T-AN 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1708S-AN 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1708T-AN 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1709S-AN 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2