- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄33320 > 2SA1747Q (PANASONIC CORP) 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1747Q |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | MINI, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 233K |
| 代理商： | 2SA1747Q |
2SA673, 2SA673A
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 3 of 4
Main Characteristics
0
200
400
600
50
Ambient Temperature Ta (
°C)
Collector
Power
Dissipation
P
C
(mW)
Maximum Collector Dissipation Curve
100
150
0
–20
–40
–60
–80
–100
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector
Current
I
C
(mA)
Typical Output Characteristics (1)
–8
–6
–4
–2
–10
IB = 0
–0.1 mA
–0.2
–0.4
–0.5
P
C =
400
mW
–0.6
–0.7
–0.8
–0.9
–1.0
–0.3
0
–100
–200
–300
–400
–500
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector
Current
I
C
(mA)
Typical Output Characteristics (2)
–8
–6
–4
–2
–10
IB = 0
–1 mA
–2
–3
–4
–5
–6
–7
PC = 400 mW
0
–0.3
–1.0
–3
–10
–30
Base to Emitter Voltage VBE (V)
Collector
Current
I
C
(mA)
Typical Transfer Characteristics
–1.0
–0.8
–0.6
–0.2
–0.4
Ta
=
75
°C
VCE = –3 V
25
–
25
0
50
100
150
Collector Current IC (mA)
DC
Current
Transfer
ratio
h
FE
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
–200
–10 –20
–50 –100
–2
–5
–500
VCE = –3 V
75
50
25
0
Ta =
–25
°C
0
40
80
120
160
200
240
Collector Current IC (mA)
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(MHz)
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
–200
–100
–10
–20
–50
–5
–500
VCE = –3 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1747R | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1748G | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1748GR | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1748R | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1757/F | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA17480RL | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1748GRL | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SA1759T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 400V 0.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1761(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -50V -3A 120 to 400 LSTM Bulk |
| 2SA1761,F(J | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。