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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1759T100 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MPT3, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | 2SA1759T100 |
2SA1759
Transistors
Rev.B
1/3
High-voltage Switching Transistor
(Camera strobes and Telephone, Power supply)
(
400V, 0.1A)
2SA1759
Features
1) High breakdown voltage. (BVCEO =
400V)
2) Low saturation voltage,
typically VCE (sat)=
0.2V at IC / IB= 20mA / 2mA.
3) High switching speed, typically tf = 1
s at Ic =100mA.
4) Wide SOA (safe operating area).
5) Complements the 2SC4505.
Dimensions (Unit : mm)
MPT3
(1)Base
(2)Collector
(3)Emitter
1.5
0.4
1.6
0.5
3.0
0.4
1.5
(3)
(2)
(1)
4.5
0.5
4.0
2.5
1.0
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
400
7
0.1
0.5
150
55 to +150
Unit
V
A(DC)
0.2
A(Pulse)
W
1
2
2
°C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1 Single pulse, Pw=100ms
2 When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
400
7
82
0.2
12
13
10
0.5
180
V
A
V
MHz
pF
IC
= 50A
IC
= 1mA
IE
= 50A
VCB
= 400V
VEB
= 6V
IC
= 20mA, IB= 2mA
VBE(sat)
1.5
V
IC
= 20mA, IB= 2mA
VCE
= 10V , IC= 10mA
VCE
= 10V , IE=10mA , f=5MHz
VCB
= 10V , IE=0A , f=1MHz
ton
0.7
sIC= 100mA RL=1.5k
tstg
1.8
sIB1= IB2= 10mA
tf
1
sVCC~ 150V
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Base-emitter saturation voltage
Turn-on time
Storage time
Fall time
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SC4616C(TP) | 2000 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SA1761,T6F(J | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SA1761,T6F(M | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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