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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1773D(TP) |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 63K |
| 代理商： | 2SA1773D(TP) |
2SA1773 / 2SC4616
No.3399-2/5
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)500mA, IB=(--)50mA
(--)1.0
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)500mA, IB=(--)50mA
(--)1.0
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)400
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)400
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(0.12)0.085
μs
Strage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(3.0)4.0
μs
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(0.3)0.6
μs
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7518-003
7003-003
Switching Time Test Circuit
6.5
5.0
2.3
0.5
12
4
3
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
2.3
7.0
7.5
1.6
0.8
5.5
1.5
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP
6.5
5.0
2.3
0.5
12
4
3
0.85
0.6
0.5
1.2
2.3
7.0
2.5
5.5
1.5
0.8
0 to 0.2
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP-FA
VR
RL
VCE=150V
VBE=--5V
IC=10IB1= --10IB2=500mA
RL=300Ω, RB=20Ω, at IC=500mA
For PNP, the polarity is reversed.
+
50
Ω
INPUT
OUTPUT
RB
100
μF
470
μF
PW=20
μs
IB1
D.C.
≤1%
IB2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1773E(TP) | 2000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SA1773(TP-FA) | 2000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1773(TP-FA) | 2000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1773E(TP-FA) | 2000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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參數(shù)描述 |
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| 2SA1774EBTLR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS GP BJT PNP 50V 0.15A 3-PIN EMT3F T/R - Tape and Reel |
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