參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1787D
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： NMP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： 2SA1787D
2SA1787/2SC4650
No.3581–2/5
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Pl
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(V
--20
--18
--16
--14
--12
--10
--8
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--2
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--2
--3
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--5
--4
--8
--7
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--9
IC -- VCE
--20
A
--40
A
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--80A
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--120
A
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ITR04700
2SA1787
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
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01
2
3
6
5
48
710
9
IC -- VCE
20
A
40
A
60
A
80
A
100
A
120
A
140
A
160
A
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ITR04701
2SC4650
--10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
--10
--20
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--60
--50
--40
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--70
--100
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IC -- VCE
--5
A
--10A
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ITR04702
2SA1787
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
010
20
30
60
50
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70
100
90
IC -- VCE
10
A
20
A
30
A
40
A
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A
60
A
70
A
80
A
IB=0
ITR04703
2SC4650
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
7
5
3
2
10
100
5
3
2
5
--10
--100
73
25
7
3
2
25
7
--1.0
hFE -- IC
2SA1787
VCE=--10V
ITR04704
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
7
5
7
5
3
2
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100
5
3
2
5
10
100
73
25
7
3
2
25
7
1.0
hFE -- IC
2SC4650
VCE=10V
ITR04705
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector
Current,
I C
–
mA
DC
Current
Gain,
h
FE
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – mA
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4655B 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4655C 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4663-4000 5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC4054-4000 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC4052-4100 3 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1790GCL 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SA1790JCL 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1791GRL 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1791JRL 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1793 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
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