- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄30492 > 2SA1804 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1804 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-16F1A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 134K |
| 代理商： | 2SA1804 |
2SA1804
2006-11-09
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Co
lle
ct
or
cu
rr
en
t
I
C
(
A
)
IC – VBE
Collector current IC (A)
hFE – IC
D
C
c
urre
nt
ga
in
h
FE
Collector current IC (A)
Col
lect
or
-e
m
itte
rs
a
tu
ra
tion
volta
g
e
V
CE
(s
a
t)
(
V
)
Collector current IC (A)
T
ran
si
tion
fr
eq
ue
nc
y
f T
(M
Hz)
VCE (sat) – IC
fT – IC
Base-emitter voltage VBE (V)
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Safe Operating Area
10
0
8
6
2
4
6
8
Common emitter
Tc = 25°C
50
30
20
0
IB = 10 mA
70
4
2
10
100
500
200
150
3
Common emitter
VCE = 5 V
1000
5
0.01
300
50
30
10
0.03
0.1
1
10
Tc = 100°C
25
100
0.3
500
3
Common emitter
VCE = 5 V
Tc = 25°C
200
1
0.01
50
10
5
3
0.03
0.1
10
30
1
100
0.3
0.4
0
0.8
1.6
8
0
2
4
1.2
2.0
6
Common emitter
VCE = 5 V
Tc = 100°C
25
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
0.1
1
0.3
0.5
1
3
5
10
30
10
30
100
IC max (continuous)
IC max (pulsed)*
1 ms*
10 ms*
100 ms*
DC operation
(Tc = 25°C)
3
VCEO max
3
Common emitter
IC/IB = 10
2
0.01
0.5
0.1
0.05
0.03
0.1
10
0.3
1
0.3
Tc = 100°C
25
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1804-O | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1805-R | 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1805 | 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1810 | 0.2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1810B | 0.2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1804-O | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SA1804-R(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SA1805-O(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk |
| 2SA1806GRL | 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1806JRL | 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。