參數(shù)資料
型號(hào): 2SA1814
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 150 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: CP, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大?。?/td> 35K
代理商: 2SA1814
2SA1814
No.3973–2/3
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
i
t
i
d
n
o
C
s
g
n
i
t
a
R
t
i
n
U
n
i
mp
y
tx
a
m
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
e
s
a
B
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
I
,
A
0
1
)
(
=
E 0
=0
3
V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
r
e
t
i
m
E
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
1
)
(
=
E
B =∞
5
2
V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
e
s
a
B
-
o
t
-
r
e
t
i
m
EV
O
B
E
)
R
B
(
IE
I
,
A
0
1
)
(
=
C 0
=5
1
V
--100
--80
--60
--40
--20
0
--0.4
--1.2
--0.8
--1.6
--2.0
IC -- VCE
--50
A
From top
--500
A
--450
A
--400
A
--350
A
--300
A
--250
A
--100A
--150A
--200A
IB=0
ITR04738
Ta=120
°C
25
°C
--40
°C
7
5
3
100
7
5
3
2
3
2
1000
--1.0
--100
3
25 7
--10
3
25 7
3
25 7
2
--0.1
hFE -- IC
VCE=--5V
ITR04741
ITR04740
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
0
--50
--100
--150
--200
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
IC -- VBE
VCE=--5V
--10
--8
--6
--4
--2
0
0--4
--12
--8
--16
--20
IC -- VCE
--1
A
--2A
--3A
--4A
--5
A
--6
A
--7
A
--8
A
--9
A
--10
A
IB=0
ITR04739
2
3
5
7
--0.1
2
3
2
3
5
7
--1.0
23
5 7
2
3
5 7
2
35 7
--0.1
--1.0
--10
--100
VCE(sat) -- IC
IC / IB=50
ITR04742
Ta=120
°C
25
°C
--40
°C
VBE(sat) -- IC
--1.0
--0.1
--1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
23
5 7
--10
23
5 7
--100
22
35 7
IC / IB=50
ITR04743
Ta=--40°C
25°C
120°C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
mA
Collector
Current,
I C
mA
Collector Current, IC – mA
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
Collector Current, IC – mA
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
mA
Continued from preceding page.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1955 400 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1955-B 400 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB0873 Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SB873 Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SB0928 Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1815 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTOR MCP-15V -.05A .25W CBE SURFACE MT
2SA1815-4-TB-E 功能描述:TRANS PNP 12V 50MA 3CP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SA182 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-1 -15V -.01A .05W
2SA1822(F) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape
2SA1827S-AY 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2