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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1815-3-TB |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | 2SA1815-3-TB |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4432-4-TB | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1257-5-TB | 80 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1256-4-TB | 30 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1839-7-TB | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SC3143-5-TB | 80 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1815-4-TB-E | 功能描述:TRANS PNP 12V 50MA 3CP RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SA182 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-1 -15V -.01A .05W |
| 2SA1822(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape |
| 2SA1827S-AY | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1832 | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP, 50V, 150mA |
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