參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1825R
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 8A I(C) | SIP
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 50V五（巴西）總裁| 8A條一（c）|園區(qū)
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
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代理商： 2SA1825R
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SA1827S-AY 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1832 制造商:Toshiba 功能描述:PNP, 50V, 150mA
2SA1832F-GR(TPL3,F 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape
2SA1832F-Y(TPL3,F) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape
2SA1832-GR(T5L,F,T 功能描述:兩極晶體管 - BJT -150mA -0.3V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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