參數(shù)資料
型號: 2SA1836-M6
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: USM, SC-75, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/7頁
文件大?。?/td> 251K
代理商: 2SA1836-M6
Data Sheet D15615EJ2V0DS
2
2SA1836
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB =
60 V, IE = 0
100
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB =
5.0 V, IC = 0
100
nA
DC Current Gain
Note
hFE1
VCE =
6.0 V, IC = 0.1 mA
50
hFE2
VCE =
6.0 V, IC = 1.0 mA
90
200
600
Base to Emitter Voltage
Note
VBE
VCE =
6.0 V, IC = 1.0 mA
0.62
V
Collector Saturation Voltage
Note
VCE(sat)
IC =
100 mA, IB = 10 mA
0.18 0.30
V
Base Saturation Voltage
Note
VBE(sat)
IC =
100 mA, IB = 10 mA
0.86 1.00
V
Gain Bandwidth Product
fT
VCE =
6.0 V, IE = 10 mA
50
180
MHz
Output Capacitance
Cob
VCE =
6.0 V, IE = 0 mA, f = 1.0 MHz
4.5
6.0
pF
Note Pulsed: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
hFE CLASSFICATION
Marking
M4
M5
M6
M7
hFE2
90 to 180
135 to 270
200 to 400
300 to 600
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SA1837 功能描述:TRANS PNP -230V -1A TO220NIS RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1837(F 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 230V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
2SA1837(F) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -230V -1A 100 to 320 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 230V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS