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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1836 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SA1836 |
Data Sheet D15615EJ1V0DS
2
2SA1836
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
TA - Ambient Temperature - C
P
T
-
Total
Power
Dissipation
-
mW
0
100
125
75
25
150
200
300
Free air
250
150
50
100
When
mounted
on
ceramic
substrate
of
3.0
cm
x
0.64
mm
2
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
VBE - Base to Emitter Voltage - V
IC
-
Collector
Current
-
mA
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
100
10
30
1
3
0.1
0.3
0.01
0.03
T
A
=
75
C
25
C
–
25
C
VCE =
6.0 V
COLLECTOR CURRENT vs. COLLECTOR TO
EMITTER VOLTAGE
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100
80
60
40
20
0.4
0.6
0.8
1.0
1.4
1.6
2.0
1.8
1.2
IB =
0.2 mA
VCE - Collector to Emitter Voltage - V
IC
-
Collector
Current
-
mA
COLLECTOR AND BASE SATURATION VOLTAGE vs.
COLLECTOR CURRENT
5
2
1
10
100
20
50
1
0.2
0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
IC = 10 IB
.
IC - Collector Current - mA
V
BE(sat)
-
Base
Saturation
Voltage
-
V
CE(sat)
-
Collector
Saturation
Voltage
-
V
VCE(sat)
VBE(sat)
VCE - Collector to Emitter Voltage - V
IC
-
Collector
Current
-
mA
COLLECTOR CURRENT vs. COLLECTOR TO
EMITTER VOLTAGE
20
10
30
40
8
6
4
2
0
IB =
5.0 A
40
35
30
25
20
15
10
45
OUTPUT CAPACITANCE vs. REVERSE VOLTAGE
5
2
1
10
100
20
50
10
2
5
1
0.5
0.2
0.1
f = 1.0 MHz
VCB - Collector to Base Voltage - V
C
ob
-
Output
Capacitance
-
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1836-M5-A | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1836-M4-A | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1836-M7-A | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1836-M6-A | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1836-M6 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1836-M6(T1-A) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SA1836-T1-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:PNP Transistor,50V,0.1A,USM3 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SC-75 T/R |
| 2SA1837 | 功能描述:TRANS PNP -230V -1A TO220NIS RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1837(F | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 230V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
| 2SA1837(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -230V -1A 100 to 320 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 230V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
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