參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1847L
廠商： NEC Corp.
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 10A I(C) | SIP
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 100V的五（巴西）總裁| 10A條（c）的|園區(qū)
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 142K
代理商： 2SA1847L
Data Sheet D15593EJ2V0DS
2
2SA1847
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
=
100 V, I
E
= 0
10
μ
A
Collector cutoff current
I
CER
V
CE
=
100 V, R
EB
= 50
Ta = 125
°
C
1.0
mA
Collector cutoff current
I
CEX1
V
CE
=
100 V, V
BE(off)
= 1.5 V
10
μ
A
Collector cutoff current
I
CEX2
V
CE
=
100 V, V
BE(off)
= 1.5 V
Ta = 125
°
C
1.0
mA
Emitter cutoff current
I
EBO
V
EB
=
5.0 V, I
C
= 0
10
μ
A
DC current gain
h
FE1
*
V
CE
=
2.0 V, I
C
=
0.5 A
100
DC current gain
h
FE2
*
V
CE
=
2.0 V, I
C
=
2.0 A
100
400
DC current gain
h
FE3
*
V
CE
=
2.0 V, I
C
=
6.0 A
60
Collector saturation voltage
V
CE(sat)1
*
I
C
=
6.0 A, I
B
=
0.3 A
0.3
V
Collector saturation voltage
V
CE(sat)2
*
I
C
=
8.0 A, I
B
=
0.4 A
0.5
V
Base saturation voltage
V
BE(sat)1
*
I
C
=
6.0 A, I
B
=
0.3 A
1.2
V
Base saturation voltage
V
BE(sat)2
*
I
C
=
8.0 A, I
B
=
0.4 A
1.5
V
Gain bandwidth product
f
T
V
CE
=
10 V, I
C
=
0.5 A
150
MHz
Collector capacitance
C
ob
V
CB
=
10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
250
pF
Turn-on time
t
on
0.3
μ
s
Storage time
t
stg
1.5
μ
s
Fall time
t
f
I
C
=
6.0 A
I
B1
=
I
B2
=
0.3 A
R
L
= 8.3
, V
CC
=
50 V
0.4
μ
s
* Pulse test PW
≤
350
μ
s, duty cycle
≤
2%
h
FE
CLASSIFICATION
Marking
M
L
K
h
FE
100 to 200
150 to 300
200 to 400
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
TAPING SPECIFICATION
Electrode Connection
1. Base
2. Collector
3. Emitter
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