型號(hào): | 2SA1871-GA3-AZ |
元件分類(lèi): | 功率晶體管 |
英文描述: | 1 A, 600 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
文件頁(yè)數(shù): | 6/6頁(yè) |
文件大?。?/td> | 116K |
代理商: | 2SA1871-GA3-AZ |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SA1871-GA2-AZ | 1 A, 600 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SA1871-GA1 | 1 A, 600 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SA1871-GA1-AZ | 1 A, 600 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SA1876 | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SA1897-L | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SA1871-T1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape |
2SA1873-GR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1873-GR(TE85L,F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -150mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1873-GR(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP USV |
2SA1873-GRTE85L | 功能描述:TRANS 2PNP 50V 0.15A USV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:2 PNP(雙)配對(duì),共發(fā)射極 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 供應(yīng)商器件封裝:USV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |