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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SA1893-Y |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | 2-8M1A, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 140K |
| 代理商： | 2SA1893-Y |
2SA1893
2004-07-07
4
C
olle
ct
or
po
w
er
d
is
sipat
ion
P
C
(W
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
Co
lle
cto
r
cu
rr
en
t
I
C
(A)
Ambient temperature Ta (°C)
PC – Ta
0.1
0.3 0.5
1
30
0.03
0.05
0.3
0.5
1
0.1
3
20
IC max (pulsed)*
IC max (continuous)
DC operation
Tc = 25°C
10 ms*
100 ms*
3
5
10
5
10
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
1 ms*
VCEO max
0
0.2
0.6
0.8
1.2
1.4
1.6
25
50
75
100
125
150
175
1.0
0.4
Pulse width tw (s)
rth – tw
T
ra
ns
ie
nt
t
he
rm
al
r
esi
stanc
e
r th
(°
C
/W
)
0.001
1000
0.01
0.1
100
10
1
300
10
100
30
0.3
3
1
Curves should be applied in thermal limited area.
(Single nonrepetitive pulse)
Ta = 25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SA1897 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA1900T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 50V 1A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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