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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1923 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 172K |
| 代理商： | 2SA1923 |
2SA1923
2010-03-10
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type
2SA1923
High-Voltage Switching Applications
High voltage: VCEO = 400 V
Low saturation voltage: VCE (sat) = 1 V (max)
(IC = 100 mA, IB = 10 mA)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
400
V
Collector-emitter voltage
VCEO
400
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
0.5
Collector current
Pulse
ICP
1
A
Base current
IB
0.25
A
Ta = 25°C
1
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
10
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note 1: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of
high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-7B1A
Weight: 0.36 g (typ.)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1924 | 0.5 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1924 | Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SA1929F | 100 mA, 100 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1932 | 1 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SA1924(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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| 2SA1930(LBS2MATQ,M | 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 |
| 2SA1930(ONK,Q,M) | 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 |
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