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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1924 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | 2-8H1A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 154K |
| 代理商： | 2SA1924 |
2SA1924
2004-07-26
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Coll
ect
or
cur
re
nt
I
C
(m
A
)
Collector-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
C
olle
ct
or
cur
re
nt
I
C
(m
A)
Collector current IC (mA)
hFE – IC
D
C
c
urre
nt
ga
in
h
FE
Collector current IC (mA)
C
ollec
tor
-e
m
itte
rs
atu
rati
on
vo
ltag
e
V
CE
(s
at
)
(V
)
Collector current IC (mA)
VBE (sat) – IC
Ba
se
-emi
tte
rsa
tu
rati
on
v
oltage
V
BE
(s
a
t)
(V
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
Co
llect
or
cu
rre
nt
I C
(
m
A
)
VCE (sat) – IC
500
0
400
300
200
100
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.2
Common emitter
VCE = 5 V
Tc = 100°C
25
55
1
30
0.03
1
3
0.3
0.1
10
100
1000
Common emitter
IC/IB = 10
Tc = 55°C
25
100
0.05
0.5
5
10
1000
3
1
100
10
5
10
100
1000
Tc = 55°C
25
100
Common emitter
VCE = 5 V
30
50
500
0.1
1
10
Tc = 100°C
25
10
100
500
0.3
0.5
1
3
Common emitter
IC/IB = 10
55
5
1
3
10
30
300
3
10
30
1000
3000
*: Single nonrepetitive
pulse Tc = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
IC max (continuous)
IC max (pulsed)*
VCEO max
10 s*
300 s*
100 s*
DC operation
Tc = 25°C
1 ms*
10 ms*
100
300
100
1000
500
0
400
300
200
100
2
4
8
12 14
20
Common emitter
Ta = 25°C
20
1
10
IB = 0.5 mA
40
2
5
60
100
80
6
10
16 18
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