參數(shù)資料
型號： 2SA1925
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS)
中文描述： 晶體管（高壓開關(guān)應(yīng)用）
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 161K
代理商： 2SA1925
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SA1930(LBS2MATQ,M 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1930(ONK,Q,M) 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1930(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi,Bipolar,Transistor,2SA1930(Q),PNP,Power,Low voltage
2SA1930(Q,M) 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 180V 2A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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