參數(shù)資料
型號： 2SA1926
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 3000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-7D101A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 93K
代理商： 2SA1926
2SA1926
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA1926
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.17 V (max)
(IC = 1 A)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
80
V
Collector-emitter voltage
VCEO
80
V
Emitter-base voltage
VEBO
8
V
Collector current
IC
3
A
Base current
IB
1
A
Collector power dissipation
PC
1000
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 80 V, IE = 0
―
1
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 8 V, IC = 0
―
1
A
Collector-emitter breakdown voltage
VCEO
IC = 10 mA, IB = 0
80
―
V
hFE (1)
VCE = 2 V, IC = 500 mA
150
―
400
DC current gain
hFE (2)
VCE = 2 V, IC = 1.5 A
40
―
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 1 A, IB = 50 mA
―
0.17
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 1 A, IB = 50 mA
―
1.2
V
Transition frequency
fT
VCE = 2 V, IC = 0.5 A
―
80
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
45
―
pF
Marking
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-7D101A
Weight: 0.2 g (typ.)
A1926
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
Part No. (or abbreviation code)
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PDF描述
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2SA1927G 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1928G 50 mA, 100 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1928F 50 mA, 100 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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