參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1931
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-10R1A, SC-67, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 235K
代理商： 2SA1931
2SA1931
2005-07-27
3
Bas
e
em
itt
er
s
at
ur
at
ion
v
olt
age
V
BE
(s
at)
(V
)
Collector current IC (A)
VBE (sat) – IC
Collector
emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Co
lle
cto
rcu
rr
en
t
I C
(A)
Co
lle
cto
rcu
rr
en
t
I C
(A)
IC – VBE
Base
emitter voltage VBE (V)
D
C
c
ur
re
nt
ga
in
h
FE
hFE – IC
Collector current IC (A)
C
olle
ct
or
e
m
itte
rs
atu
ra
tio
n
vo
lta
ge
V
CE
(
sa
t)
(V
)
VCE (sat) – IC
Collector current IC (A)
C
oll
ec
to
rc
urre
nt
I C
(A)
Collector
emitter voltage VCE (V)
Safe operating area
Common emitter
Tc = 25°C
0
IB = 10 mA
2
4
6
8
80
20
10
2
4
6
8
30
40
70
50
60
90
100
Common emitter
VCE = 1 V
0
8
2
4
6
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Tc = 100°C
25
Common emitter
VCE = 1 V
0.03
10
30
100
300
0.1
0.3
1
3
10
Tc = 100°C
25
50
500
Common emitter
IC/IB = 20
0.01
10
0.05
0.5
3
5
0.03
0.1
0.3
1
3
10
Tc = 100°C
25
1
0.3
0.1
0.03
1
0.03
0.1
0.05
0.1
0.3
0.5
3
10
30
100
*: Single non-repetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be de-rated
linearly with increase in
temperature.
IC max (Pulse)*
VCEO max
1 ms*
10 ms*
DC operation
Tc = 25°C
3
10
5
1
0.3
IC max (Continuous)
100 ms*
Common emitter
IC/IB = 20
5
0.1
0.03
0.3
0.5
1
3
0.3
1
3
10
Tc = 100°C
25
0.1
0.5
5
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PDF描述
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