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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1931 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-10R1A, SC-67, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | 2SA1931 |
I
D (A)
I
D (A)
FIGURE 14, DELAY TIMES vs CURRENT
FIGURE 15, RISE AND FALL TIMES vs CURRENT
ID (A)
R
G, GATE RESISTANCE (Ohms)
FIGURE 16, SWITCHING ENERGY vs CURRENT
FIGURE 17, SWITCHING ENERGY VS. GATE RESISTANCE
Eon
Eoff
V
DD = 533V
I
D = 20A
T
J = 125°C
L = 100H
E
ON includes
diode reverse recovery.
Eon
Eoff
V
DD = 533V
R
G = 5
T
J = 125°C
L = 100H
E
ON includes
diode reverse recovery.
APT8043BLL_SLL
V
GS
,GATE-TO-SOURCE
VOLTAGE
(VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I DR
,REVERSE
DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
C
,CAPACITANCE
(pF)
1
10
100
800
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
120
140
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
80
50
10
1
16
12
8
4
0
10,000
5,000
1,000
500
100
10
200
100
10
1
TC=+25°C
TJ=+150°C
SINGLE PULSE
OPERATIONHERE
LIMITEDBYRDS(ON)
10mS
1mS
100S
Crss
Ciss
Coss
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE10,MAXIMUMSAFEOPERATINGAREA
FIGURE11, CAPACITANCEvsDRAIN-TO-SOURCEVOLTAGE
Qg,TOTALGATECHARGE(nC)
V
SD, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE12,GATECHARGESvsGATE-TO-SOURCEVOLTAGE
FIGURE13, SOURCE-DRAINDIODEFORWARDVOLTAGE
I
D (A)
I
D (A)
FIGURE 14, DELAY TIMES vs CURRENT
FIGURE 15, RISE AND FALL TIMES vs CURRENT
ID (A)
R
G, GATE RESISTANCE (Ohms)
FIGURE 16, SWITCHING ENERGY vs CURRENT
FIGURE 17, SWITCHING ENERGY VS. GATE RESISTANCE
V
DD = 533V
R
G = 5
T
J = 125°C
L = 100H
tr
tf
SWITCHING
ENERGY
(
J)
t d(on)
and
t
d(off)
(ns)
SWITCHING
ENERGY
(
J)
t rand
t
f
(ns)
5
10
15
20
25
30
35
5
10
15
20
25
30
35
5
1015202530
35
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
td(on)
td(off)
60
50
40
30
20
10
0
1000
800
600
400
200
0
V
DD = 533V
R
G = 5
T
J = 125°C
L = 100H
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
1200
1000
800
600
400
200
0
I
D = 20A
VDS=400V
VDS=160V
VDS=640V
TJ=+150°C
TJ=+25°C
050-7056
Rev
C
7-2004
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1934-Y | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1937 | 500 mA, 600 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1939-O | 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1941-R | 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1941-O | 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1931(NOMARK,A,Q | 功能描述:TRANS PNP 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:60MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 |
| 2SA1931(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 50V 5A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1931,BOSCHQ(J | 功能描述:TRANS PNP 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:60MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 |
| 2SA1931,KEHINQ(M | 功能描述:TRANS PNP 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:60MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 |
| 2SA1931,NETQ(J | 功能描述:TRANS PNP 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:60MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 |
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