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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1952P |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 60V的五（巴西）總裁| 10A條一（c）|至263AB |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 237K |
| 代理商： | 2SA1952P |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1952Q | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA1953A | TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-59 |
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| 2SA1954A | TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-70 |
| 2SA1954B | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1952TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 60V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1952TL-Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SA1954-A(TE85L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |
| 2SA1954-ATE85LF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:GP XSTOR SINGLE ARRAY |
| 2SA1954-B(TE85L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |
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