參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1961
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type
中文描述： 70 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MT2, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 37K
代理商： 2SA1961
2
Transistor
2SA1961
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
Printed circut board: Copper
foil area of 1cm
2
or more, and
the board thickness of 1.7mm
for the collector portion.
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
–12
–10
–8
–2
–6
–4
0
–120
–100
–80
–60
–40
–20
Ta=25C
– 0.9mA
– 0.7mA
– 0.6mA
– 0.5mA
– 0.4mA
– 0.3mA
– 0.2mA
– 0.1mA
I
B
=–1.0mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
–1.2
–1.0
– 0.8
– 0.2
– 0.6
– 0.4
0
–120
–100
–80
–60
–40
–20
V
CE
=–10V
Ta=75C
–25C
25C
C
C
–1
–10
–100
–1000
–3
–30
–300
– 0.001
– 0.003
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
Collector current I
C
(mA)
C
C
–1
–10
–100
–1000
–3
–30
–300
0
240
180
60
150
210
120
30
90
V
CE
=–10V
Ta=75C
25C
–25C
Collector current I
C
(mA)
F
F
–1
Collector to base voltage V
CB
(V)
–3
–10
–30
–100
0
24
20
16
12
8
4
f=1MHz
I
=0
Ta=25C
C
o
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1962 Power Amplifier Application PNP Transistor(功放用PNP晶體管)
2SA1965 TRANSISTOR (POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SA1971 TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS)
2SA1972 Power Amplifier Application PNP Transistor(功率放大器用PNP晶體管)
2SA1979UF PNP Silicon Transistor (Medium power amplifier)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA19610QAHW 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SA19620TU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
2SA1962-O 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1962-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1962-O(Q,T) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*