參數(shù)資料
型號(hào): 2SA1962
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: 2-16C1A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 128K
代理商: 2SA1962
2SA1962
2004-07-07
2
Marking
A1962
TOSHIBA
Lot No.
Characteristics
indicator
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
Part No. (or abbreviation code)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1977-FB UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1977-FB UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2014 9 A, 15 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SA1962-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1962-O(Q,T) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1962OTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 230V 15A 130W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2