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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SA1965 |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SMCP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | 2SA1965 |
2SA1965
No.5031–2/3
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Ω
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IB=0
--20
0
--0.4
--1.2
--1.6
--0.8
--2.0
IC -- VCE
ITR05035
5
100
1000
7
5
3
2
--1.0
--10
--100
hFE -- IC
ITR05038
Ta=75°C
VCE= --2V
1000
100
3
5
7
5
7
2
35
7
72
3
5
7
22
--100
--1.0
--10
f T -- IC
ITR05039
25
°C
T
a=75
°C
--
2
5°
C
VCE= --5V
10
1.0
2
7
5
3
72
5
33
2
7
--1.0
--10
Cob -- VCB
ITR05040
f=1MHz
25°C
--25°C
--100
--40
--60
--80
VCE= --2V
--20
--40
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
IC -- VBE
ITR05037
--1.2
--1.0
--120
--100
--60
--80
--450
μA
--500
μ
A
--400
μA
--350
μA
--300μA
--250μA
--200μA
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--100
μA
--50
μA
IB=0
--2
0
--1
--2
--3
--4
--5
IC -- VCE
ITR05036
--10
--4
--6
--8
--20μ
A
--18μA
--16μA
--14μA
--12μA
--10μA
--8
μA
--6
μA
--4
μA
--2
μA
23
5
2
77
2
3
5
7
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE —V
Collector
Current,
I C
—
mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE —V
Collector
Current,
I C
—
mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC — mA
Gain-Bandwidth
Product,
f T
—
MHz
Collector Current, IC — mA
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1980-G-AP | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1980-Y-BP | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1980-Y-AP | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1980-O-AP | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1980-L-AP | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1971(TE12L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor PNP 400V 0.5A 35MHz PW-Mini |
| 2SA1972(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SA1972(TE6,F,M) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP, 400V, 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1972,F(J | 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 20mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:35MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SA1972,T6WNLF(J | 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 20mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:35MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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