參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1971
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-5K1A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 160K
代理商： 2SA1971
2SA1971
2009-12-21
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type
2SA1971
High-Voltage Switching Applications
High breakdown voltage: VCEO = 400 V
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
400
V
Collector-emitter voltage
VCEO
400
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
0.5
Collector current
Pulse
ICP
1
A
Base current
IB
0.25
A
Ta = 25°C
500
Collector power
dissipation
Ta = 25°C
(Note 1)
PC
1000
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note 1: Mounted on a ceramic substrate 250 mm
2 × 0.8 t
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute
maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-5K1A
Weight: 0.05 g (typ.)
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PDF描述
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