參數(shù)資料
型號： 2SA1979M
廠商： AUK Corp
英文描述： PNP Silicon Transistor (Medium power amplifier)
中文描述： 進步黨硅晶體管（中等功率放大器）
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 231K
代理商： 2SA1979M
KST-I010-001
2
2SA1979M
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Characteristic
Symbol
Collector-Base voltage
V
CBO
Collector-Emitter voltage
V
CEO
Emitter-Base voltage
V
EBO
Collector current
I
C
Collector dissipation
P
C
Junction temperature
T
j
Storage temperature
T
stg
Ratings
-40
-32
-5
-500
400
150
-55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Electrical Characteristics
(Ta=25
°
C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min. Typ. Max.
Unit
Collector-Base breakdown voltage
BV
CBO
I
C
=-100
μ
A, I
E
=0
-40
-
-
V
Collector-Emitter breakdown voltage
BV
CEO
I
C
=-1mA, I
B
=0
-32
-
-
V
Emitter-Base breakdown voltage
BV
EBO
I
E
=-10
μ
A, I
C
=0
-5
-
-
V
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
=-40V, I
E
=0
-
-
-0.1
μ
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
=-5V, I
C
=0
-
-
-0.1
μ
A
DC current gain
h
FE
*
V
CE
=-1V, I
C
=-100mA
70
-
240
-
Collector-Emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
=-100mA, I
B
=-10mA
-
-
-0.25
V
Transistor frequency
f
T
V
CE
=-6V, I
C
=-20mA
-
200
-
MHz
Collector output capacitance
C
ob
V
CB
=-6V, I
E
=0, f=1MHz
-
7.5
-
pF
* : h
FE
rank / O : 70~140, Y : 120~240
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PDF描述
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