- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369074 > 2SA2005 (Rohm CO.,LTD.) High-voltage Switching?。裕颍幔睿螅椋螅簦铮?高電壓開關晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SA2005 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | High-voltage Switching?。裕颍幔睿螅椋螅簦铮?高電壓開關晶體管) |
| 中文描述： | 高壓開關晶體管（高電壓開關晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 51K |
| 代理商： | 2SA2005 |
2SA2005
Transistors
High-voltage Switching
(Audio output amplifier transistor,
TV velocity modulation transistor)
(
160V,
1.5A)
2SA2005
!
Features
1) Flat DC current gain characteristics.
2) High breakdown voltage. (BV
CEO
=
160V)
3) High f
T
. (Typ. 150MHz)
4) Wide SOA (safe operating area).
5) Complements the 2SC5511.
!
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
160
160
5
1.5
2
20
150
55~+150
Unit
V
V
V
A
W
W (Tc = 25
°
C)
°
C
°
C
!
External dimensions
(Units : mm)
ROHM : TO-220FN
(3) Emitter(Source)
(2) Collector(Drain)
0.75
0.8
2.54
(3)
(1)
(3)
(2)
(1)
2.54
(2)
5
8
1
1
1
1.3
1.2
10.0
3.2
φ
2.6
4.5
2.8
!
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Code
Basic ordering unit
2SA2005
TO-220FN
DE
-
500
!
Electrical characteristics
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CEO
Min.
160
Typ.
Max.
Unit
V
Conditions
Collector-base breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Collector-emitter breakdown voltage
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
Cob
160
5
60
150
35
1
1
1
200
V
V
μ
A
μ
A
V
MHz
pF
I
C
=
50
μ
A
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
160V
V
EB
=
4V
I
C
/I
B
=
1A/
0.1A
V
CE
=
5V , I
C
=
0.1A
V
CE
=
10V , I
E
=
0.2A , f = 100MHz
V
CB
=
10V , I
E
= 0A , f = 1MHz
I
C
=
1mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2016-AB3-R | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 2SA2016L-AB3-R | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 2SA2017 | Power Transistor(功率晶體管) |
| 2SA2068E | SMALL-SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2068F | SMALL-SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA2007 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220FN |
| 2SA2007E | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS GP BJT PNP 60V 12A 3-PIN(3+TAB) TO-220FN - Bulk 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS PNP GP 60V 12A TO220FN 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 12A |
| 2SA2007F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220FN |
| 2SA2009 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer type |
| 2SA20090SL | 功能描述:TRANS PNP 120VCEO 20MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。