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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SA2018HT2L |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-89, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | 2SA2018HT2L |
2SA2018H
Transistors
!
Electrical characteristic curves
0
1
2
5
20
50
100
200
500
1000
10
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE
(V)
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
1.5
1.0
0.5
VCE=2V
Ta=125C
Ta=25C
Ta=
-40C
1
2
5
10
20
50
100
200
1000
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.2 DC current gain vs.
collector current
1
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
500
2
5
10
200
500
1000
20
50
100
Ta=25C
Ta= -40C
Ta=125C
VCE=2V
1
2
5
10
20
50
100
200
1000
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current ( I )
1
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE
(sat)
(V)
500
2
5
10
200
500
1000
20
50
100
Ta=25C
Ta= -40C
Ta=125C
IC/IB=20
1
2
5
10
20
50
100
200
1000
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
1
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(mV)
500
2
5
10
200
500
1000
20
50
100
Ta=25C
IC / IB=50
IC / IB=20
IC / IB=10
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
1
2
5
10
20
50
100
200
1000
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
10
BASER
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE
(sat)
(mV)
500
20
50
100
2000
5000
10000
200
500
1000
Ta=25C
Ta= -40C
Ta=125C
IC/IB=20
Fig.5 Base-emitter saturation voltage
vs. collector current
1
2
5
10
20
50
100
200
1000
EMITTER CURRENT : IC (mA)
Fig.6 Gain bandwidth product vs.
emitter current
1
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
T
(MHz)
500
2
5
10
200
500
1000
20
50
100
VCE=2V
Ta=25C
0.2
0.1
0.5
1
2
5
10
20
50
100
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
Ta=25C
f=1MHz
IE
=0A
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE
:
Cib
(pF)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB
(V)
Fig.7 Collector output capacitance vs.
collector-base voltage
Emitter input capacitance vs.
emitter-base voltage
Cib
Cob
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