參數(shù)資料
型號(hào): 2SA2028
廠商: PANASONIC CORP
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: Silicon PNP epitaxial planer type
中文描述: 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商: 2SA2028
Transistors
2SA2028
Silicon PNP epitaxial planer type
1
For DC-DC converter
I
Features
Large current capacitance
Low collector to emitter saturation voltage
High-speed switching
Small type package, allowing downsizing and thinning of the
equipment.
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit: mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
20
20
5
3
1
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
V
EBO
I
CP
V
Emitter to base voltage
V
Peak collector current
A
Collector current
I
C
P
C
T
j
A
Collector power dissipation
150
mW
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
1 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, , I
C
=
0
V
CE
=
2 V, I
C
=
100 mA
I
C
=
200 mA, I
B
=
10 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
10 mA
f
=
200 MHz
20
20
5
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
V
EBO
h
FE
V
Emitter to base voltage
V
Forward current transfer ratio
*
160
560
Collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
C
ob
f
T
40
100
mV
Collector output capacitance
20
30
pF
Transition frequency
170
MHz
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Marking Symbol: AT
2
±
1.3
±0.1
0.3
+0.1
2.0
±0.2
1
±
(
1
3
2
(0.65) (0.65)
0
±
0
±
0
0
+
0.15
+0.10
5
°
10
°
1: Base
2: Emitter
3: Collector
EIAJ: SC-70
S Mini Type Package (3-pin)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA2029M3T5G PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor(通用型硅PNP放大器晶體管)
2SA2029M3 PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor
2SA202 2SA203
2SA201 2SA203
2SA203 2SA203
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA202800L 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 1A S-MINI 3P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SA2028G0L 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 1A SMINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SA2029 制造商:ROHM 制造商全稱(chēng):Rohm 功能描述:General Purpose Transistor (50V, 0.15A)
2SA2029_13 制造商:ROHM 制造商全稱(chēng):Rohm 功能描述:PNP -150mA -50V General Purpose Transistors
2SA2029FST2LQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GENERAL PURPOSE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2