參數(shù)資料
型號(hào): 2SA2048TLR
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: TSMT3, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 44K
代理商: 2SA2048TLR
2SA2048
Transistor
2/3
!
!Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ. Max.
Unit
Conditions
BVCBO
30
VIC
= 100A
IC
= 1mA
IE
= 100A
VCB
= 20V
VEB
= 4V
IC
= 500mA, IB= 50mA
VCE
= 2V, IC= 10mA
VCE
= 10V, IE=100mA, f=10MHz
VCB
= 10V, IE=0A, f=1MHz
BVCEO
30
V
BVEBO
6
V
ICBO
1.0
A
IEBO
1.0
A
VCE (sat)
150 300 mV
hFE
120
390
fT
350
MHz
Cob
10
pF
Ton
30
ns
Tstg
100
ns
Tf
20
ns
IC
= 1.0A
IB1
= 0.1A
IB2
=0.1A
VCC
25V
Turn-on time
Storage time
Fall time
Transition frequency
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-base breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Collector output capacitance
!
!hFE RANK
QR
120
270
180
390
!
!Electrical characteristic curves
0.1
1
10
100
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
Fig.1 Safe Operating Area
0.01
0.1
1
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
10
10ms
1ms
100ms
DC
Single
non repetitive
Pulse
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.2 Switching Time
10
100
SWITCHING
TIME
:
(ns)
1000
Ta
=25°C
VCC
= 25V
IC/IB
=10/1
Tstg
Tf
Ton
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.3 DC Current Gain vs.
Collector Current (
Ι)
1
10
100
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
1000
VCE
= 2V
Ta
=25°C
Ta
= 40°C
Ta
=125°C
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.4 DC Current Gain vs.
Collector Current (
ΙΙ)
1
10
100
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
1000
Ta
=25°C
VCE
= 5V
VCE
= 3V
VCE
= 2V
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.5 Collector-Emitter Saturation
Voltage vs.
Collector Current (
Ι)
0.01
0.1
1
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE
(sat)
(V)
10
Ta
=25°C
Ta
= 40°C
Ta
=125°C
IC/IB
=10/1
IC/IB
=20/1
IC/IB
=10/1
Ta
=25°C
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.6 Collector-Emitter Saturation
Voltage vs.
Collector Current (
ΙΙ)
0.01
0.1
1
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE
(sat)
(V)
10
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