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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA2066 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, 2-5K1A, SC-62, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 155K |
| 代理商： | 2SA2066 |
2SA2066
2009-12-21
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type
2SA2066
High-Speed Switching Applications
DC-DC Converter Applications
High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = 0.2 A)
Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.19 V (max)
High-speed switching: tf = 25 ns (typ.)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
20
V
Collector-emitter voltage
VCEO
10
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
2.0
Collector current
Pulse
ICP
3.5
A
Base current
IB
200
mA
t = 10 s
2.0
Collector power
dissipation
DC
PC
(Note 1)
1.0
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note 1: Mounted on an FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu
area: 645 mm
2
)
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute
maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-62
TOSHIBA
2-5K1A
Weight: 0.05 g (typ.)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2071T100 | 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2078G | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2090TLQ | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2090TL | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2099 | 10 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SA2067 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
| 2SA20670PA | 功能描述:TRANS PNP PWR AMP 60VCEO 3A MT-4 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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