- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄30494 > 2SA2071T100 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SA2071T100 |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MPT3, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 933K |
| 代理商： | 2SA2071T100 |
2/3
www.rohm.com
○
c
2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2011.03 - Rev.C
Data Sheet
2SA2071
Electrical characteristics (Ta=25
C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ. Max.
Unit
Conditions
BVCBO
60
VIC
= 100μA
IC
= 1mA
IE
= 100μA
VCB
= 40V
VEB
= 4V
IC
= 2A, IB= 0.2A
VCE
= 2V, IC= 100mA
VCE
= 10V, IE=10mA, f=10MHz
VCB
= 10V, IE=0mA, f=1MHz
BVCEO
60
V
BVEBO
6
V
ICBO
1.0
μA
IEBO
1.0
μA
VCE (sat)
200 500 mV
hFE
120
270
fT
180
MHz
Cob
50
pF
Ton
20
ns
Tstg
150
ns
Tf
20
ns
IC
= 3A
IB1
= 300mA
IB2
=300mA
VCC
25V 2
1
1 Non repetitive pulse
2 See switching charactaristics measurement cicuits
Turn-on time
Storage time
Fall time
Transition frequency
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-base breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Collector output capacitance
hFE RANK
Q
120
270
Electrical characteristic curves
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.1 Switching Time
10
100
SWITCHING
TIME
:
(ns)
1000
Ta
=25°C
VCC
= 25V
IC/IB
=10/1
Tstg
Tf
Ton
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.2 DC Current Gain vs.
Collector Current (
Ι)
1
10
100
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
1000
VCE
= 2V
Ta
=25°C
Ta
= 40°C
Ta
=125°C
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.3 DC Current Gain vs.
Collector Current (
ΙΙ)
1
10
100
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
1000
Ta
=25°C
VCE
= 5V
VCE
= 3V
VCE
= 2V
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.4 Collector-Emitter Saturation
Voltage vs.
Collector Current (
Ι)
0.01
0.1
1
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE
(sat)
(V)
10
Ta
=25°C
Ta
= 40°C
Ta
=125°C
IC/IB
=10/1
IC/IB
=10/1
Ta
=25°C
0.001
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.5 Collector-Emitter Saturation
Voltage vs.
Collector Current (
ΙΙ)
0.01
0.1
1
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE
(sat)
(V)
10
IC/IB
=20/1
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.6 Base-Emitter Saturation
Voltage vs. Collecter Current
0.01
0.1
1
BASE
EMITTER
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE
(sat)
(V)
10
IC/IB
=10/1
Ta
=125°C
Ta
=25°C
Ta
= 40°C
0.001
0.01
0.1
1
10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2078G | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2090TLQ | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2090TL | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2099 | 10 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SA2113TLR | 2000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA2071T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANSISTOR 60V3A PNP CPT3;HI VLT DISCHRG RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2071T100R | 功能描述:TRANSISTOR PNP 60V 3A SOT-89 TR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA2072 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:High voltage discharge, High speed switching, Low Noise (−60V, −3A) |
| 2SA2072TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRNSISTR 60V 3A PNP HI VOLT DSCHRG RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2072TL-Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。