參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA2072TL
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CPT3, SC-63, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 129K
代理商： 2SA2072TL
2SA2072
Data Sheet
2/3
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.02 - Rev.B
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-base breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transistor frequency
Collector output capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Condition
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE (sat)
hFE
fT
Cob
ton
tstg
tf
IC
=1mA
IC
=100A
IE
= 100A
VCB
= 20V
VEB
= 4V
IC
= 2A
IB
= 0.2A
VCE
= 2V
IC
= 100mA
VCE
= 10V
IE
=100mA
f
=10MHz
VCB
= 10V
IE
=0mA
f
=1MHz
1 Non repetitive pulse
2 See switching characteristics measurement circuits
1
2
60
6
120
200
180
50
20
150
20
1.0
500
270
V
A
mV
MHz
pF
ns
IC
= 3A
IB1
= 300mA
IB2
=300mA
VCC
25V
hFE RANK
Q
120
270
Electrical characteristics curves
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
5
1234
0
40
80
120
160
200
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.1 Typical output characteristics
IB=1000
A
0
A
100
A
200
A
300
A
400
A
500
A
600
A
700
A
800
A
900
A
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.50.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
0.01
0.1
10
1
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
Fig.2 Grounded emitter propagation
characteristics
VCE
=2V
125
°C
40°C
25
°C
0.001
0.01
0.1
10
1
10
100
1000
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
Ta
=25°C
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.3 DC current gain
vs.collector current (
Ι )
VCE=5V
VCE=2V
VCE=3V
0.001
0.01
0.1
10
1
10
100
1000
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
Ta=25
°C
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.4 DC current gain
vs.collector current (
ΙΙ )
125
°C
25
°C
40°C
0.001
0.01
0.1
10
1
0.001
0.01
0.1
1
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V
)
Ta
=25°C
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.5 Collector-emitter saturation voltage
vs.collector current (
Ι )
Ic/Ib=20/1
Ic/Ib=10/1
0.001
0.01
0.1
10
1
0.01
0.1
1
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V
)
IC/Ib
=10/1
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage
vs.collector current (
ΙΙ )
125
°C
40°C
25
°C
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PDF描述
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2SA2072TL-Q 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SA2073 制造商:ROHM 制造商全稱(chēng):Rohm 功能描述:High voltage discharge, High speed switching, Low Noise (−60V, −3A)
2SA2073_11 制造商:ROHM 制造商全稱(chēng):Rohm 功能描述:High voltage discharge, High speed switching,Low Noise (-60V, -3A)
2SA2073TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRNSISTR BIPOLAR PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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