參數(shù)資料
型號(hào): 2SA2120-R
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 12 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: LEAD FREE, 2-16C1A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 153K
代理商: 2SA2120-R
2SA2120
2006-11-16
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
IC – VBE
Collector current IC (A)
hFE – IC
DC
curre
nt
gain
h
FE
Base-emitter voltage VBE (V)
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
0.8
1.2
1.6
2.0
10
6
4
2
0
Common emitter
VCE = 5 V
8
0.4
0
Tc = 100°C
25
100
10
0.1
1
Common emitter
VCE = 5 V
0.01
1000
10
Tc = 100°C
25
10
6
4
2
0
8
4
6
8
2
0
10
IB = 20mA
Common emitter
Tc = 25°C
60
80
100
140
200
300
12
14
12
100
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
Collector
emitter
saturation
volt
a
ge
V
CE
(s
at)
(V)
0.01
10
Ta = 100°C
25
0.1
0.01
1
100
1
0.1
Common emitter
IC / IB = 10
10
Base
emitter
saturation
volt
age
V
BE
(
sa
t)
(V)
Collector current IC (A)
VBE (sat) – IC
10
0.01
Tc = 25°C
0.01
0.1
1
100
1
Common emitter
IC / IB = 10
10
40
0.1
25
T
ransition
freque
ncy
f T
(MH
Z
)
Collector current IC (A)
fT – IC
100
0.01
0.1
1
10
Common emitter
VCE = 5 V
Tc = 25°C
1
25
100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA2126-TL 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2126 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2127 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2142 500 mA, 600 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2151Y 15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA2120-R(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2121 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Amplifier Applications
2SA2121-O 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2121-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2121-R(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2