參數(shù)資料
型號： 2SA2121-R
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-21F1A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 238K
代理商： 2SA2121-R
2SA2121
2005-07-27
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type
2SA2121
Power Amplifier Applications
PC = 220W
Complementary to 2SC5949
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
200
V
Collector-emitter voltage
VCEO
200
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
15
A
Base current
IB
1.5
A
Collector power dissipation
PC
220
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-21F1A
Weight: 9.75 g (typ.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA2121 15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA2125 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA2140P 1.5 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SA2140Q 1.5 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SA2163 30 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA2121-R(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2124 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Current Switching Applications
2SA2124_09 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Current Switching Applications
2SA2124_12 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Current Switching Applications
2SA2124-S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*