參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA2168-T
廠(chǎng)商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： FLP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 31K
代理商： 2SA2168-T
2SA2168
No.8357-1/4
Features
Adoption of MBIT process.
High breakdown voltage and large current capacity.
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector-to-Base Voltage
VCBO
--180
V
Collector-to-Emitter Voltage
VCEO
--160
V
Emitter-to-Base Voltage
VEBO
--6
V
Collector Current
IC
--1.5
A
Collector Current (Pulse)
ICP
--2.5
A
Collector Dissipation
PC
1.5
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
--55 to +150
°C
Electrical Characteristics at Ta=25
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=--120V, IE=0A
--1
A
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=--4V, IC=0A
--1
A
DC Current Gain
hFE1VCE=--5V, IC=--100mA
140*
400*
hFE2VCE=--5V, IC=--10mA
80
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=--10V, IC=--50mA
120
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=--10V, f=1MHz
22
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=--500mA, IB=--50mA
--200
--500
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=--500mA, IB=--50mA
--0.85
--1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=--10A, IE=0A
--180
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=--1mA, RBE=∞
--160
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=--10A, IC=0A
--6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
40
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
0.7
s
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
40
ns
* ; The 2SA2168 is classified by 100mA hFE as follows :
Rank
S
T
hFE
140 to 280
200 to 400
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
Ordering number : ENN8357
62005CB MS IM TB-00001469
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using
any SANYO products described or contained herein in such applications.
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained
herein.
2SA2168
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
High-Voltage Switching Applications
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA2168 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA2168-S 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA562Y-BP 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA562O 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA562Y 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA2169 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications
2SA2169-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 10A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2SA2174G0L 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SA2174J0L 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
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