參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA854
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Medium Power Transistor (-32V, -0.5A)
中文描述： 中等功率晶體管（- 32V的，- 0.5A的）
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 101K
代理商： 2SA854
(96-86-B11)
External dimensions
(Units: mm)
204
Transistors
Medium Power Transistor
(
32V,
0.5A)
2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854S
Features
1) Large I
C
.
I
CMax.
=
2) Low V
CE(sat)
. Ideal for low-voltage
operation.
3) Complements the 2SC2411K /
2SC1741S / 2SC4097.
500mA
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1036K Medium Power Transistor (-32V, -0.5A)
2SA1577 Medium Power Transistor (-32V, -0.5A)
2SA872 Silicon PNP Epitaxial(小信號(hào)晶體管)
2SA872A Silicon PNP Epitaxial
2SA893 Silicon PNP Epitaxial
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA854S 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Medium Power Transistor (-32V, -0.5A)
2SA854STPQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 32V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA854STPR 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 32V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA857 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-150V -.05A .5W ECB
2SA858 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-150V -.05A .5W ECB
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