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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA965O |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 120伏特五（巴西）總裁| 800mA的一（c）|至92VAR |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | 2SA965O |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA965Y | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA966O | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-92VAR |
| 2SA966Y | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA967 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30MA I(C) | MICRO-T |
| 2SA968BO | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA965-O(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 3-Pin TO-92 Mod 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor |
| 2SA965-O(TE6,F,M) | 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:LSTM 標準包裝:1 |
| 2SA965-O,F(J | 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:LSTM 標準包裝:1 |
| 2SA965TM | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:-0.8A , -120V PNP Plastic Encapsulated Transistor |
| 2SA965Y | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR |
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