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參數(shù)資料
| 型號： | 2SAR533PT100 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MPT3, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 228K |
| 代理商： | 2SAR533PT100 |
2SK3141
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 3 of 7
Main Characteristics
Power vs. Temperature Derating
Channel
Dissipation
Pch
(W)
Case Temperature TC (°C)
Maximum Safe Operation Area
Drain to Source Voltage VDS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Typical Output Characteristics
Drain
Current
I
D
(A)
Drain to Source Voltage VDS (V)
Typical Transfer Characteristics
Gate to Source Voltage VGS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Gate to Source Voltage VGS (V)
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
Drain
to
Source
Saturation
Voltage
V
DS
(on)
(V)
Drain Current ID (A)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS
(on)
(m
)
160
120
80
0
50
100
150
200
0.1
0.3
1
3
10
30
100
80
60
40
20
0
24
6
8
10
1000
300
100
30
10
1
0.3
0.1
3
Ta = 25
°C
10
s
100
s
1 ms
DC
Operat
ion
(Tc
=
25
°C)
Operation in
this area is
limited by RDS(on)
PW
=
10
ms
(1
s
hot)
3 V
40
5 V
4 V
2.5 V
100
80
60
40
20
0
12
34
5
Tc = –25
°C
25
°C
75
°C
VDS = 10 V
Pulse Test
VGS = 10 V
0
48
12
16
20
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
Pulse Test
ID = 50 A
20 A
10 A
1
30
100
3
100
0.3
1
0.1
10
1000
10
3
30
300
VGS = 4 V
10 V
Pulse Test
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SAR544RTL | 2500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB0710S | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SB0945Q | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB945R | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB945P | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SAR542D | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (-30V/-5A) |
| 2SAR542DTL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SAR542F3TR | 功能描述:TRANS PNP 30V 3A HUML2020L3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2.1W 頻率 - 躍遷:240MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-UDFN，裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:HUML2020L3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SAR542P | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (-30V / -5A) |
| 2SAR542P_09 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (-30V / -5A) |
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