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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB0767 |
| 英文描述： | Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires |
| 中文描述： | 小信號裝置-小信號晶體管-一般使用低頻Amplifires |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商： | 2SB0767 |
3
Transistor
2SB0709A
0.01
0.1
1
10
0.03
0.3
3
0
6
5
4
3
2
1
V
CB=–5V
f=1kHz
R
g=2k
Ta=25C
Emitter current I
E
(mA)
Noise
figure
NF
(dB
)
0.1
0.3
1
3
10
0
20
16
12
8
4
18
14
10
6
2
V
CB=–5V
R
g=50k
Ta=25C
f=100Hz
10kHz
1kHz
Emitter current I
E
(mA)
Noise
figure
NF
(dB
)
0.1
0.3
1
3
10
1
300
100
30
10
3
V
CE=–5V
f=270Hz
Ta=25C
h
fe
h
oe (S)
h
ie (k)
h
re (10
–4)
Emitter current I
E
(mA)
h
Parameter
–1
–3
–10
–30
–100
1
300
100
30
10
3
I
E=2mA
f=270Hz
Ta=25C
h
fe
h
oe (S)
h
ie (k)
h
re (10
–4)
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
h
Parameter
NF — IE
h Parameter — IE
h Parameter — VCE
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2SB07670QL | 功能描述:TRANS PNP 80VCEO .5A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB07670RL | 功能描述:TRANS PNP 80VCEO .5A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB0767Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62 |
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