參數(shù)資料
型號： 2SB0835S
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1000 mA, 18 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-71, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 569K
代理商： 2SB0835S
209
Transistor
2SB
Type
2SB0835
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Printed circut board: Copper
foil area of 1cm2 or more, and
the board thickness of 1.7mm
for the collector portion.
Ambient temperature Ta (C)
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
– 0.3
–3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C/IB=20
Ta=75C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
– 0.3
–3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C/IB=20
Ta=–25C
75C
25C
Collector current I
C
(A)
Base
to
emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
– 0.3
–3
0
600
500
400
300
200
100
V
CE=–2V
Ta=75C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
–1
–3
–10
–30
–100
0
120
100
80
60
40
20
I
E=0
f=1MHz
Ta=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
PC — Ta
VCE(sat) — IC
VBE(sat) — IC
hFE — IC
Cob — VCB
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PDF描述
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2SB928AP 2 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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2SB08730Q 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 5A TO-92L RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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