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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB0954P |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220, FULL PACK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 186K |
| 代理商： | 2SB0954P |
2
Power Transistors
2SB0954, 2SB0954A
PC —Ta
IC —VCE
IC —VBE
VCE(sat) —IC
hFE —IC
fT —IC
Area of safe operation (ASO)
Rth(t) —t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
50
40
30
20
10
(1) T
C=Ta
(2) With a 100
× 100 × 2mm
Al heat sink
(3) With a 50
× 50 × 2mm
Al heat sink
(4) Without heat sink
(P
C=2W)
(1)
(4)
(3)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
0
–6
–5
–4
–1
–3
–2
0
–2.5
–2.0
–1.5
–1.0
– 0.5
T
C=25C
I
B=–40mA
–30mA
–25mA
–20mA
–10mA
–8mA
–6mA
–4mA
–2mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
0
–2.0
–1.6
– 0.4
–1.2
– 0.8
0
–10
–8
–6
–4
–2
T
C=100C
25C
V
CE=–4V
–25C
Base to emitter voltage V
BE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
– 0.3
–3
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C/IB=10
25C
–25C
T
C=100C
Collector current I
C
(A)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
– 0.3
–3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE=–4V
T
C=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
– 0.01
– 0.1
–1
–10
– 0.03
– 0.3
–3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE=–5V
f=10MHz
T
C=25C
Collector current I
C
(A)
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
–1
–10
–100
–1000
–3
–30
–300
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
t=10ms
I
CP
I
C
Non repetitive pulse
T
C=25C
DC
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
10–4
10
10–3
10–1
10–2
1103
102
104
10–2
10–1
1
10
103
102
(1)
(2)
(1) Without heat sink
(2) With a 100
× 100 × 2mm Al heat sink
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
(t)
(
C/W
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB954P | 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB954AQ | 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB0956GR | 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB0956G-R | 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB0956G-S | 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB0954Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
| 2SB0956 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) |
| 2SB0956(2SB956) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:小信號デバイス － 小信號トランジスタ － 汎用低周波増幅 |
| 2SB09560RL | 功能描述:TRANS PNP LF 20VCEO 1A MINI-PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB0956GRL | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 1A MINIP-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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